QFLS在太陽(yáng)能光伏研究中的應(yīng)用與價(jià)值

在太陽(yáng)能光伏材料研究中，準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分裂(QFLS)已成為解析器件物理與優(yōu)化性能的關(guān)鍵指標(biāo)。它量化光生載流子的化學(xué)勢(shì)能差異，直接揭示材料內(nèi)部的輻射與非輻射復(fù)合損失。這些損失決定了太陽(yáng)能電池開(kāi)路電壓(VOC)的極限。

QFLS的核心價(jià)值：量化能量損失與識(shí)別根源

理想情況下，QFLS數(shù)值應(yīng)該與器件的外部VOC相等。但實(shí)際太陽(yáng)能電池中，接觸點(diǎn)、傳輸層以及材料缺陷導(dǎo)致電化學(xué)勢(shì)損失，使得實(shí)際VOC低于理論QFLS。這種QFLS與VOC的不匹配，就是電壓損失的來(lái)源。

QFLS測(cè)量直接量化輻射與非輻射復(fù)合損失，特別是非輻射復(fù)合會(huì)導(dǎo)致QFLS偏離其輻射極限值。這為識(shí)別電壓損失根源提供依據(jù)——究竟是材料本身的體內(nèi)復(fù)合，還是界面問(wèn)題。

具體案例分析

錫鉛鈣鈦礦研究：牛津大學(xué)Henry J. Snaith教授和河南大學(xué)李萌教授隊(duì)在添加半胱胺酸鹽酸鹽(CysHCl)的研究中[1]，通過(guò)QFLS mapping(圖3e)發(fā)現(xiàn)，添加CysHCl后錫鉛鈣鈦礦薄膜的QFLS值提升，且空間分布更均勻。結(jié)果表明CysHCl鈍化了材料缺陷，降低了非輻射復(fù)合。

器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化：青島科技大學(xué)周忠敏教授和岳芳教授團(tuán)隊(duì)研究增強(qiáng)電場(chǎng)對(duì)QFLS赤字的影響[2]。圖1d展示不同半堆疊器件的PLQY測(cè)量QFLS數(shù)據(jù)，證實(shí)優(yōu)化鈣鈦礦/FPD結(jié)構(gòu)能抑制QFLS赤字。該抑制機(jī)制通過(guò)增強(qiáng)載流子分離和提取效率實(shí)現(xiàn)。

快速檢測(cè)技術(shù)：光焱科技Enlitech QFLS-Maper檢測(cè)設(shè)備能在3秒內(nèi)獲得QFLS視覺(jué)圖，快速呈現(xiàn)材料整體準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)分布，直觀識(shí)別材料的優(yōu)劣與缺陷分布，加速材料篩選和優(yōu)化過(guò)程。

QFLS對(duì)器件優(yōu)化與材料選擇的指導(dǎo)作用

QFLS量化后，研究人員可以辨識(shí)電壓損失瓶頸，指導(dǎo)器件設(shè)計(jì)和材料選擇。它評(píng)估不同傳輸層材料的影響，以及薄膜在不同處理階段的表面性質(zhì)變化。

傳輸層優(yōu)化：阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)Stefaan De Wolf教授團(tuán)隊(duì)利用QFLS mapping(圖3d–f)和QFLS分布直方圖(圖3g)[3]，比較窄帶隙鈣鈦礦在不同ITO/SAM基板上的QFLS值。結(jié)果揭示了不同SAM對(duì)QFLS分布的影響，為空穴傳輸層優(yōu)化提供指導(dǎo)。

復(fù)合機(jī)制分析：Universit?t Potsdam的Dieter Neher教授團(tuán)隊(duì)指出[4]，測(cè)量QFLS能有效評(píng)估鈍化分子和電荷傳輸層的電壓潛力。研究表明，即使VOC會(huì)因離子遷移或電極/輸送層界面復(fù)合而飽和，QFLS仍然忠實(shí)反映材料本身的復(fù)合機(jī)制，是評(píng)估材料固有品質(zhì)的關(guān)鍵指標(biāo)。

光焱科技QFLS-Maper具備快速分層QFLS測(cè)試功能，能夠逐層分析各層材料（如HTL、電子傳輸層ETL）對(duì)整體組件性能的影響，幫助研究人員了解各層材料的優(yōu)劣，進(jìn)而在材料制備過(guò)程中實(shí)時(shí)掌握材料效果，大幅縮短研發(fā)時(shí)程。

QFLS在評(píng)估電荷載流子濃度與復(fù)合動(dòng)力學(xué)中的作用

QFLS直接反映電荷載流子濃度和復(fù)合速率。通過(guò)QFLS測(cè)量，可以判斷載流子壽命、摻雜濃度等因素對(duì)器件性能的影響。

摻雜濃度研究：盧森堡大學(xué)Damilola Adeleye教授團(tuán)隊(duì)深入研究了摻雜濃度對(duì)QFLS的影響[5]，并從QFLS和載流子壽命的測(cè)量中估算出摻雜濃度。文獻(xiàn)中的(圖3a)清楚展示了QFLS和載流子壽命隨Cu/In比以及不同生長(zhǎng)溫度的變化。研究強(qiáng)調(diào)了QFLS直接反映電荷載流子濃度和復(fù)合速率的能力，有助于研究人員深入理解載流子行為，進(jìn)而精確調(diào)控材料性能。

光焱科技QFLS-Maper結(jié)合了PLQY、EL-EQE和in-situ PL等多模態(tài)功能，為載流子動(dòng)力學(xué)研究提供了全面的數(shù)據(jù)支持，幫助研究人員精確判斷載流子壽命、摻雜濃度等因素對(duì)器件性能的影響。

QFLS在發(fā)表研究成果中的幫助

在學(xué)術(shù)發(fā)表中，QFLS數(shù)據(jù)的運(yùn)用能顯著提升論文的說(shuō)服力和深度。它提供量化電壓損失的精確數(shù)據(jù)，還能將實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論效率限制進(jìn)行對(duì)比，從而突出研究成果的潛力。

理論極限分析：阿爾及利亞巴特納大學(xué)Hichem Bencherif團(tuán)隊(duì)通過(guò)公式將光致發(fā)光量子產(chǎn)率（PLQY）與QFLS關(guān)聯(lián)起來(lái)[6]，指出QFLS可以定義理論效率極限。文獻(xiàn)中的(圖3e)展示了鈣鈦礦薄膜的QFLS結(jié)果及其分布直方圖，用以評(píng)估效率損失。這為報(bào)告器件接近理論極限的潛力提供了有力證據(jù)，證明了2D/3D異質(zhì)結(jié)構(gòu)在提高效率方面的優(yōu)勢(shì)。

老化機(jī)制研究：德國(guó)愛(ài)爾朗根-紐倫堡大學(xué)Christoph J. Brabec教授團(tuán)隊(duì)利用QFLS(圖4a)評(píng)估不同層堆疊下非輻射損失的變化[7]，發(fā)現(xiàn)體內(nèi)復(fù)合是全器件非輻射損失的主要來(lái)源。即使有穩(wěn)定的傳輸層，體內(nèi)缺陷的形成仍然是影響長(zhǎng)期穩(wěn)定性的主要因素。這種QFLS的定量分析為深入理解器件老化機(jī)制提供了關(guān)鍵數(shù)據(jù)，對(duì)開(kāi)發(fā)更穩(wěn)定的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池至關(guān)重要。

提供普適性基準(zhǔn)與實(shí)驗(yàn)結(jié)果可比性

QFLS作為一個(gè)絕對(duì)的、有量綱的物理量，提供了一個(gè)普適性基準(zhǔn)，使得來(lái)自不同組分和不同實(shí)驗(yàn)室的研究結(jié)果都能在同一基準(zhǔn)上進(jìn)行比較。這對(duì)學(xué)術(shù)交流和研究標(biāo)準(zhǔn)化具有重要意義。

多材料對(duì)比研究：英國(guó)牛津大學(xué)Henry J. Snaith和Shuaifeng Hu教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)QFLS mapping(圖3a)[8]，評(píng)估了不同溶液制備的Sn-Pb鈣鈦礦薄膜的光電性能。研究顯示，PhA（磷酸）處理的薄膜有著更均勻的QFLS分布和更高的平均值，證明了添加劑對(duì)材料品質(zhì)的提升作用。這類(lèi)QFLS數(shù)據(jù)的引入，使得不同材料和制程的優(yōu)劣能夠被客觀比較。

光焱科技QFLS-Maper具備QFLS、PLQY、iVoc等多模態(tài)功能，提供了標(biāo)準(zhǔn)化且高精度的測(cè)量數(shù)據(jù)，其PLQY靈敏度可達(dá)6個(gè)數(shù)量級(jí)（1E-4%），確保了測(cè)量準(zhǔn)確性和國(guó)際接受度，極大地有利于論文發(fā)表和跨實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)的比較。

預(yù)測(cè)器件性能與篩選材料

QFLS及其衍生的偽J-V (pseudo J-V) 曲線(xiàn)，能有效地預(yù)測(cè)器件潛力，在器件實(shí)際制造之前進(jìn)行材料篩選，大幅節(jié)省研發(fā)成本與時(shí)間。

性能預(yù)測(cè)技術(shù)：荷蘭恩荷芬理工大學(xué)René A. J. Janssen教授團(tuán)隊(duì)將QFLS光強(qiáng)度依賴(lài)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為偽J-V曲線(xiàn)(圖4b)，并從中得出偽填充因子（pFF）(圖4d)和偽功率轉(zhuǎn)換效率（pPCE）(圖4e)[9]。

Kessels等學(xué)者通過(guò)實(shí)驗(yàn)，精準(zhǔn)測(cè)量了鈣鈦礦薄膜在不同GlyHCl濃度下的準(zhǔn)費(fèi)米能階分裂（QFLS）值。他們將光強(qiáng)度依賴(lài)的QFLS數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為偽J-V曲線(xiàn)，這種轉(zhuǎn)換通過(guò)利用光電流密度與光強(qiáng)度的正比關(guān)系，并將QFLS作為電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。

從這些偽J-V曲線(xiàn)中，研究團(tuán)隊(duì)推導(dǎo)出偽填充因子（pFF）和偽功率轉(zhuǎn)換效率（pPCE）。這些衍生參數(shù)雖然不直接代表最終器件的實(shí)際J-V性能（因?yàn)楹雎粤穗姾蓚鬏敁p失），但能有效排除器件制備中的傳輸損失，更純粹地反映鈣鈦礦材料本身的內(nèi)在光電品質(zhì)與潛力。

GlyHCl添加劑效應(yīng)研究：通過(guò)QFLS及其衍生參數(shù)的深入分析，Kessels等學(xué)者的研究清晰揭示了GlyHCl對(duì)鉛錫基鈣鈦礦材料的積極作用：

• 抑制非輻射復(fù)合：在添加1-2 mol% GlyHCl的鈣鈦礦薄膜中，QFLS值從886 meV提升至898-900 meV

• 改善晶體品質(zhì)：GlyHCl延緩前驅(qū)體溶液中Sn2+的氧化，改善鈣鈦礦的晶粒尺寸分布和結(jié)晶品質(zhì)

• 延長(zhǎng)載流子壽命：載流子半衰期從0.7 μs增至1.5 μs

• 提升器件性能：VOC從0.69 V提升至0.81 V，FF從71%提升至78%

• 增強(qiáng)穩(wěn)定性：添加2或4 mol% GlyHCl能顯著提升器件在連續(xù)光照下的穩(wěn)定性

光焱科技QFLS-Maper能在最快2分鐘內(nèi)預(yù)測(cè)材料的偽J-V曲線(xiàn)，從理論層面評(píng)估材料的效率潛力，大大縮短實(shí)驗(yàn)周期，并且能將預(yù)測(cè)結(jié)果可視化呈現(xiàn)，讓研究者能夠一目了然。

驗(yàn)證理論模型與模擬結(jié)果

實(shí)驗(yàn)測(cè)得的QFLS數(shù)據(jù)，能夠?yàn)榈谝恍栽碛?jì)算（DFT）和漂移擴(kuò)散（drift-diffusion）模擬等提供關(guān)鍵的實(shí)驗(yàn)依據(jù)，確保理論模型的準(zhǔn)確性。

界面工程驗(yàn)證：阿卜杜勒阿齊茲國(guó)王科技城學(xué)者Masaud Almalki等人在研究中明確指出[10]：「SCAPS模型與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的成功校準(zhǔn)，證明了表面復(fù)合速度在提高器件效率方面的關(guān)鍵作用。長(zhǎng)鏈烷基銨鹽的使用表明表面復(fù)合速度降低，進(jìn)而減輕了VOC-QFLS失配」。

他們系統(tǒng)性地引入不同鏈長(zhǎng)的烷基銨碘化物作為表面鈍化劑，利用能量帶圖解釋了QFLS和VOC的關(guān)系，其模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)觀察一致，即鈍化處理能有效抑制界面復(fù)合，提升QFLS(圖7a,b)。

器件建模驗(yàn)證：美國(guó)First Solar研究團(tuán)隊(duì)在Supporting Information中展示了E-Solver模擬器與SCAPS-1D模擬器在帶圖和QFLS/q–VOC差異方面的對(duì)比[11]，結(jié)果高度一致，誤差極小(圖S1A,B和圖S2A,B)。這類(lèi)對(duì)比證明了QFLS在驗(yàn)證數(shù)值模擬和理論計(jì)算準(zhǔn)確性方面的重要性，為半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)提供了可靠的理論基礎(chǔ)。

第一性原理計(jì)算：韓國(guó)技術(shù)學(xué)院Yong-Hoon Kim與Juho Lee, Hyeonwoo Yeo等學(xué)者報(bào)導(dǎo)了從第一性原理計(jì)算中提取納米級(jí)結(jié)點(diǎn)的QFLS剖面圖[12]，并探討其與有限偏壓下電荷傳輸?shù)年P(guān)聯(lián)性(圖4A,B)。藉由第一性原理計(jì)算QFLS，研究人員可以在實(shí)際合成或制造新材料和器件之前，預(yù)測(cè)其在不同偏壓和激發(fā)條件下的電學(xué)行為和電壓潛力。這縮短了研發(fā)周期，并能夠系統(tǒng)性地探索材料設(shè)計(jì)空間。

結(jié)論

QFLS及其mapping技術(shù)已成為太陽(yáng)能光伏研究的工具。它提供量化能量損失、指導(dǎo)材料選擇和優(yōu)化器件設(shè)計(jì)的精確數(shù)據(jù)，更在學(xué)術(shù)發(fā)表中扮演著關(guān)鍵角色。通過(guò)QFLS數(shù)據(jù)，研究人員能更深入地理解光伏材料的內(nèi)在物理機(jī)制，驗(yàn)證理論模型，并為開(kāi)發(fā)更高效、更穩(wěn)定的太陽(yáng)能電池提供堅(jiān)實(shí)的科學(xué)依據(jù)。這項(xiàng)技術(shù)的持續(xù)發(fā)展與應(yīng)用，將持續(xù)推動(dòng)太陽(yáng)能光伏技術(shù)的進(jìn)步，為人類(lèi)社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展貢獻(xiàn)力量。

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