光偵測器以多晶或非晶的光吸收層形成在介電層上以使其接觸光波導(dǎo)的單晶半導(dǎo)體核心。該光吸收層接著以一或多個應(yīng)變緩解層密封且進(jìn)行快速熔化生長(RMG)工序以結(jié)晶化該光吸收層。該(多個)應(yīng)變緩解層是為了控制應(yīng)變緩解而調(diào)變，以致在該RMG工序期間，該光吸收層保持免于破裂。接著移除該(多個)應(yīng)變緩解層且在該光吸收層之上形成密封層(例如，填充該RMG工序期間發(fā)展的表面凹陷)。隨后，通過該密封層植入摻質(zhì)以形成用于(多個)PIN二極管的擴(kuò)散區(qū)域。由于該密封層相對薄，可在該擴(kuò)散區(qū)域內(nèi)達(dá)到想要的摻質(zhì)輪廓。
 

　　光偵測器適用于高濃度(%v/v)二元?dú)怏w混合物的測量。主要用于探測導(dǎo)熱性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過空氣的氣體，如甲烷和氫氣。而導(dǎo)熱性接近于空氣的氣體則不能探測到，如氨氣和一氧化碳。導(dǎo)熱性小于空氣的氣體就更難以探測了，因?yàn)樗魵鈺a(chǎn)生干擾，如二氧化碳和丁烷。這種技術(shù)還可以測量兩種氣體的混合物(在隔絕空氣情況下)。將經(jīng)加熱的傳感元件暴露于樣品中，而參考元素則被包圍在一個密封的小隔間內(nèi)。若樣品氣體的導(dǎo)熱性大于參考元素的導(dǎo)熱性，那么，傳感元件的溫度就會下降；若樣品氣體的導(dǎo)熱性小于參考元素的導(dǎo)熱性，那么，樣品元素的溫度就會升高。
 

　　這些溫度變化是與樣品元素處存在的氣體的濃度成比例的。紅外氣體探測器很多可燃?xì)怏w在光的電磁波譜的紅外區(qū)都具有吸收帶，而很多年以來，紅外吸收的原理就已經(jīng)是一種實(shí)驗(yàn)室分析工具了。然而，自20世紀(jì)80年代以來，電子學(xué)和光學(xué)的發(fā)展使得設(shè)計(jì)一種電源足夠低、體積較小的設(shè)備變?yōu)榭赡?，從而使得可以將該技術(shù)應(yīng)用于工業(yè)氣體探測產(chǎn)品。這些傳感器較之于燃燒式傳感器，具有一些重要的優(yōu)勢。其響應(yīng)速度非?？?一般少于10秒)，維護(hù)價格低，核對簡單，使用了現(xiàn)代微處理器控制設(shè)備的自檢設(shè)備。