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在現(xiàn)代科技飛速發(fā)展的時(shí)代，光電子學(xué)作為一門重要的學(xué)科，正在影響和改變我們的生活。光偵測(cè)器作為光電子學(xué)中的關(guān)鍵設(shè)備，供應(yīng)市場(chǎng)正在以快速增長(zhǎng)的速度發(fā)展。這主要?dú)w因于光通信的快速普及以及電子設(shè)備的不斷增多，作為一種關(guān)鍵的光電子傳感器，廣泛應(yīng)用于通信、醫(yī)療、工業(yè)、軍事和其他領(lǐng)域。目前，市場(chǎng)上有多種類型的光偵測(cè)器，包括光電二極管(PD)、光電倍增管(PMT)、光電晶體管(PET)和光電探測(cè)器陣列(PDA)。不同類型的在不同應(yīng)用場(chǎng)景下具有不同的性能和特點(diǎn)。例如，PD在高速通信和數(shù)據(jù)傳輸中...
【重點(diǎn)啇要】光致鹵素分離會(huì)限制寬禁帶鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。利用溶液后處理形成混合二維/三維異質(zhì)結(jié)構(gòu)是一種典型的改善鈣鈦礦太陽(yáng)能電池效率和穩(wěn)定性的策略。但是,由于表面重構(gòu)的組成相依性,傳統(tǒng)的溶液后處理對(duì)于缺乏甲銨和富集銫/溴的寬禁帶鈣鈦礦太陽(yáng)能電池來(lái)說(shuō)并不適用。研究人員開(kāi)發(fā)了一種通用的三維到二維鈣鈦礦轉(zhuǎn)化方法,在寬禁帶鈣鈦礦層(1.78eV)上實(shí)現(xiàn)優(yōu)先生長(zhǎng)更高維數(shù)(n≥2)的二維結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)首先通過(guò)蒸氣輔助雙步驟沉積程序沉積一層規(guī)則的三維MAPbI3薄層,隨...
「Temporaldarknoise」是什么在圖像傳感器芯片的研發(fā)中,「Temporaldarknoise」是一種指標(biāo),用來(lái)衡量在不同時(shí)間點(diǎn)內(nèi)傳感器捕捉的圖像中出現(xiàn)的隨機(jī)噪聲或干擾。這種噪聲通常來(lái)自于傳感器本身,而不是來(lái)自光源或環(huán)境。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),Temporaldarknoise就像是在你拍攝照片時(shí),相機(jī)傳感器自身產(chǎn)生的一些奇怪的小點(diǎn)或斑點(diǎn),它們可能會(huì)在不同時(shí)間點(diǎn)出現(xiàn),并且不是由光引起的。這種噪聲可能會(huì)降低圖像的質(zhì)量,因此在圖像傳感器的研發(fā)中,測(cè)量和控制Temporaldark...
太陽(yáng)能電池的Voc(開(kāi)路電壓)損耗是指在光照條件下，太陽(yáng)能電池產(chǎn)生的電壓與實(shí)際輸出電壓之間的差值。Voc損耗是衡量太陽(yáng)能電池性能的一個(gè)重要指標(biāo)，它直接影響到太陽(yáng)能電池的發(fā)電效率和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。Voc損耗的產(chǎn)生與多種因素有關(guān)，主要包括以下幾個(gè)方面：1.材料缺陷：太陽(yáng)能電池的性能與其所用材料的純度、晶體結(jié)構(gòu)、晶格缺陷等因素密切相關(guān)。材料中的雜質(zhì)、缺陷和不完善的晶體結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致載流子復(fù)合增加，從而降低電池的Voc。此外，材料中的元素偏析、相變等問(wèn)題也會(huì)影響電池的性能。2.光吸收損失：...
【什么是Overallsystemgain】在影像傳感器芯片的研發(fā)中,“Overallsystemgain”指的是整個(gè)影像系統(tǒng)的增益,也就是影像傳感器捕捉到的光信號(hào)被放大的程度。這個(gè)增益是用來(lái)調(diào)整影像的亮度,讓我們看到更清晰的圖像。當(dāng)增加Overallsystemgain時(shí),影像會(huì)變得更亮,但有時(shí)也可能帶來(lái)噪點(diǎn)或失真。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),Overallsystemgain就像是調(diào)整照相機(jī)的曝光,可以讓你拍攝到更明亮或更暗的照片,取決于你的需求。在影像傳感器的研發(fā)中,測(cè)量Overalls...
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